«Широкозонные полупроводники и приборы на их основе»,

 

Инфраструктурный проект:

«Широкозонные полупроводники и приборы на их основе»

Поляков Александр Яковлевич

Под руководством Ведущего ученого:

проф. Полякова Александра Яковлевича

(Национальный университет в Чхондже, Южная Корея)

 

H-Индекс: 30

Индекс цитирования: 3492


Область научных интересов:

свойства гетеропереходов, квантовые ямы и квантовые точки, влияние глубоких ловушек на характеристики светодиодов и полевых транзисторов, взаимодействие света с поверхностными плазмонами.

 

Направления проекта:

 

·        развитие методов изучения дефектов с глубокими уровнями в широкозонных полупроводниковых материалах и приборах на примере полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN, СИД на основе структур МКЯ GaN/InGaN и ДГС AlGaN/AlGaN, силовых выпрямительных структур на основе карбида кремния, а также детекторных и выпрямительных структур на основе нитридов третьей группы, карбида кремния и алмаза;

·        установление корреляции между свойствами гетероструктур и характеристиками приборов на основе нитрида галлия: полевых транзисторов, светодиодов, фотоприёмников и детекторов излучения, а также между свойствами структур карбида кремния и алмаза и характеристиками выпрямителей и детекторов на их основе;

·        установление связи между присутствием тех или иных видов дефектов и их введением и эволюцией в процессе эксплуатации с изменениями характеристик приборов в процессе эксплуатации и облучения.я, а также между свойствами структур карбида кремния и алмаза и характеристиками выпрямителей и детекторов на их основе.

·        установление связи между присутствием тех или иных видов дефектов и их введением и эволюцией в процессе эксплуатации с изменениями характеристик приборов в процессе эксплуатации и облучения.

 

 


Возврат к списку

Наши проекты

Последние комментарии



Яндекс.Метрика