Лекция ведущего ученого Н.А. Соболева на тему - Радиационная технология магнитных наноструктур

22 января 2019 

12:00

Аудитория Б-607 

Лектор: Проф. Николай Андреевич Соболев

Университет Авейро, Португалия


Магнитные параметры сверхтонких магнитных пленок и слоистых структур, такие как магнитная анизотропия и обменная связь, существенно зависят от структуры поверхностей и интерфейсов. Химический состав, кристалличнось, размеры зерен и их распределение определяют магнитные свойства. Все эти структурные характеристики могут быть модифицированы путем облучения частицами. Существует, например, возможность магнитного структурирования в плоскости, что представляет интерес для практики. Для этого можно использовать однородное по площади облучение через маски либо сфокусированный ионный пучок. При этом разрешение может достигать десятков нанометров. Основной областью применения ионно-лучевой технологии являются структуры магнитной памяти, такие как магнитожесткие среды с большой перпендикулярной магнитной анизотропией (ПМА), и структуры сенсоров с улучшенным отношением сигнал-шум.

ПМА часто встречается контактах магнитный металл / немагнитный окисел. Принято считать, что это результат гибридизации электронных орбиталей атомов кислорода и магнитного металла на интерфейсе. Интерес к этому явлению возник в 2010 году, когда было показано, что такой тип магнитной анизотропии может быть использован для создания магнитных туннельных переходов с перпендикулярной намагниченностью, применяемых в качестве магнитной памяти со случайным доступом, основанной на эффекте переноса спинового момента (spin-transfer-torque magnetic random access memory, STT-MRAM). В таких системах ПМА на границе раздела CoFeB / MgO используется для достижения как большей плотности упаковки при одновременном длительном удержании информации благодаря большой амплитуде ПМА, так и малого тока записи в силу малых значений параметра затухания Гильберта.

В докладе будет сделан обзор экспериментов по облучению частицами, нацеленных на модификацию магнитных и магниторезистивных параметров различных слоистых магнитных структур. Затем будут представлены оригинальные результаты по ионной бомбардировке эпитаксиальных структур STT-MRAM на основе контактов CoFeB / MgO, в результате которых удалось получить анизотропию намагниченности типа «легкий конус», что должно понизить постоянную времени и напряжение переключения элементов памяти.

Возврат к списку

Наши проекты

Последние комментарии



Яндекс.Метрика