Собственные дефекты и дефекты, вызванные облучением в двумерных материалах

Лекция ведущего ученого

25 марта 2016, время 16:00 

аудитория Б-607

Аркадий Валерьевич Крашенинников 1,2

1Helmholtz Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Germany

2Department of Applied Physics, Aalto University, Finland


В данной лекции «Native and irradiation-induced defects in two-dimensional materials (Собственные дефекты и дефекты, вызванные облучением в двумерных материалах)» проф. А.В. Крашенинников расскажет о природе возникновения дефектов в графене, h-BN, дихалькогенидах переходных металлов и прочих двумерных материалах. Проф. Крашенинников расскажет о стабильности различного вида дефектов, их свойствах и влиянии на электронную структуру материала и его оптические свойства. 

Following isolation of a single sheet of graphene, many other 2D systems such as hexagonal BN sheets and transition metal dichalcogenides (TMD) were manufactured. Among them, TMD sheets have received particular attention, as these materials exhibit intriguing electronic and optical properties. Moreover, the properties can further be tuned by introduction of defects and impurities. In my talk, I will present the results [1] of our first-principles theoretical studies of defects (native and irradiation-induced) in graphene and inorganic 2D systems obtained in collaboration with several experimental groups. I will further discuss defect- and impurity-mediated engineering of the electronic structure of 2D materials.

 

[1] Nature Comm. 6 (2015) 6736; ACS Nano 9 (2015) 3274;  ACS Nano (2015) ACS Nano 9 (2015) 11249; Phys. Rev. B 91 (2015) 125304; Adv. Mater. 26 (2014) 2857; Phys. Rev. X 4 (2014) 031044; see http://users.aalto.fi/~ark/publist.html for further publications.

 

Профессор Аркадий Валерьевич Крашенинников в настоящее время руководит группой в Центре Гельмгольца (Helmholtz Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research), Германия, а также продолжает работать в Университете Аальто (Department of Applied Physics, Aalto University), Финляндия.

Аркадий Валерьевич Крашенинников является одним из наиболее уважаемых исследователей в области теоретического моделирования. Его работы опубликованы во самых высокорейтинговых журналах, таких как Nature или Nature Materials. Большая часть работ А.В.Крашенинников посвящена изучению атомной и электронной структуры данных материалов, поведению твердых тел под электронным и ионным облучением, а также процессам в материалах подвергающихся высоким давлениям.

Наукометрический показатели: Индекс Хирша 47 (ISI), 53 (Google Scholar).

Аркадий Валерьевич был удостоен награды Huntswill Ion Beam Institute (CША) за развитие теории влияния облучения на наноматериалы.

Возврат к списку

Наши проекты

Последние комментарии



Яндекс.Метрика